PLD脉冲激光沉积系统

脉冲激光沉积（PLD）是用于薄膜沉积的通用工艺，其主要优点是将材料几乎是相等的从靶转移到基板。PLD设备所制成的膜可轻松获取新材料，特别适用于复杂氧化层以及多层结构的氧化薄膜。

PLD的原理是将脉冲激光透过合成石英窗导入真空腔内照射到成膜靶上，靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume状等离子体状态，然后被堆积到设在对面的基板上而成膜。铠柏科技PLD-12L系统拥有最好的性能价比,具体技术参数配置:1.靶: 数量6个，大小1英寸，可自动旋转，靶的选择可通过步进电机控制;可以配备激光扫描仪2.基板:采用适合于氧气环境激光加热器，大小10X10mm，加热温度可达1200摄氏度，温度差<3%，加热时基板可旋转，工作环境最大压力不限;我们最大有10ATM的经验3.基板加热最高到1200度;4.超高真空成膜室腔体:不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度<5e-9 torr;5.样品搬运室:不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度<5e-7 torr;6.排气系统:分子泵和干式机械泵;7.气路两套: 采用气体流量计控制;8.薄膜生长监控系统: 采用High Pressure RHEED;9.监控软件系统:基板温度的监控和设定，基板和靶的旋转，靶的更换等;

我们的PLD系统共分两型，PLD-12L与PLD-18L，L代表激光加热。大家都知道PLD最适合长氧化物与多元薄膜。在氧化物生长的时候要通入大量的氧气，而氧气会造成一般加热器的损伤甚至断掉。而我们的激光加热器没有这个缺点，可以在高氧压甚至臭氧下工作。最高工作温度可达1000摄氏度以上。PLD-12L的优点是腔体小，速度快，可以兼容两只磁控溅射靶或束源炉，可使用mask。PLD-18L的扩充性强大，可以装4只束源炉或是 plasma cell，靶材台可装6个1寸靶或者3个2寸靶。两种系统均可装配高气压高能电子枪（High Pressure RHEED)。PLD-18可加装椭圆仪，及时监控。特殊的激光视窗保护机构可保护视窗，且价格合理。

可沉积材料如：Heterostructure metal oxides (e.g. Fe/SrTiO3, Nb/SrTiO3, BiFeO3, etc), high temperature superconducting materials, silicon oxides, high k oxides, metal nitrides, ferroelectric materials, etc.