磁控溅射是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜。

我们产品的主要特点：

1、定制型SS316L电抛光室，腔室紧凑体积小

2、5E-10 Torr 本底真空压力，抽气速度快

3、2”衬底尺寸，4轴样品操纵台（XYZ和旋转）

4、SiC（或PBN）加热元件，样品加热温度可达：900°C

5、3×2英寸磁控溅射阴极（共焦或平行）

6、直流、射频或脉冲直流电源，标准材料与磁性材料均可使用

7、厚度监测器

8、压力控制系统：上游

9、烘烤时可把磁铁拆下以保护磁铁不退磁

10、客户可选择RHEED，在磁铁拆下时可检测样品薄膜的质量

11、FBBeam系统控制软件

12、与激光加热器联用可变为反应型磁控溅射，可成长氧化物薄膜与氮化物薄膜等。正下方可安装一只离子源，用于样品清洗与辅助镀膜

可选项：

1、直接溅射系统

2、平行溅射系统

3、DC/RF衬底偏压

4、离子束辅助沉积

5、离子束清洁/刻蚀

6、高压RHEED系统（实时外延监测）

7、带有Z运动的掩模系统

8、样品室预退火加热系统

9、样品室的衬底存储机制

10、腔室可定制

应用：

溅射可沉积的材料饭括：金属（Si、Cr、Al、Ag、穆村、钛、金、等）、二氧化硅、磁性金属（铁、Co、Ni），金属氧化物（ITO、IZO，偶氮，等）。